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然而，院再用电在实际应用中，院再用电仍然存在着阻碍AgNW网络进一步发展的技术挑战，包括由于高接触电阻导致的对后处理工艺的需求，由AgNW的随机分布而造成的可重复性问题，以及超长AgNW的较高制造成本等等。所制备的TEs具有良好的光学透过率（84%）和电导率（0.9Ωsq−1），谈推且在弯曲半径为3mm的情况下仍表现出电阻2Ωsq−1的良好导电性能，谈推在下一代柔性电子器件中拥有巨大的应用潜力。

但由于ITO固有的局限性如材料的稀缺性和脆性，动降低制近年来研究人员一直致力于研究新一代柔性电子产品TE的替代品。造业遭（b~e）用于MNFN电沉积的纳米沟槽模板制备原理图。（b）通过改变聚合物种类、成本溶液浓度和施加电压对纳米纤维直径的调控。

此外，年电基于模板的方法还可以通过对模板的选择性掩蔽来实现具有任意导电图形的MNFN-TE的直接图案化。此外，网业大多数报道的MNFN具有覆盖整个区域的金属纳米纤维，网业需要一个额外的图案化处理过程来制作功能电路图形，这在许多光电子器件应用中是必不可少的步骤。

导电金属氧化物薄膜如氧化铟锡（ITO）等，绩恐在过去的几十年中被广泛应用于电子器件中作为高性能的TE。

此外，连击基于模板的制造策略显示了良好的重现性，并为制备的TEs提供了一致的形貌和性能。有鉴于此，国务华侨大学魏展画教授联合新加坡南洋理工大学熊启华教授和加拿大多伦多大学EdwardH.Sargent教授的科研团队报道设计了不同组分分布的钙钛矿薄膜：国务单层CsPbBr3、叠层CsPbBr3/MABr和CsPbBr3@MABr准核-壳结构，通过对比不同组分分布的钙钛矿薄膜在紫外灯下的荧光（PL）可以明显看出，具有准核-壳结构的钙钛矿薄膜表面平整且具有较高的PL。

含0.04%铋掺杂的最佳合金Cs2(Ag0.60Na0.40)InCl6发出86.5%量子效率的暖白光，院再用电工作时间超过1000小时。谈推研究人员通过二次离子质谱(SIMS)深度组分分析和薄膜TEM截面分析进一步验证了CsPbBr3@MABr准核-壳结构。

需要一种系统的方法，动降低制结合不同的实验和计算工具来寻找超出简单脂肪族配体链的最佳配体。再将半透明且带隙宽度为1.59 eV的钙钛矿和带隙宽度为1.00 eV的CIGS分别作为子电池，造业遭这一结构改进的叠层电池的能量转化效率可以达到22.43%，造业遭并且工作500小时后的效率还能保持在初始效率88%左右。